高低溫循環(huán)測(cè)試是指設(shè)定溫度從-50°C保持4個(gè)小時(shí)后，升溫到 +90°C ，然后，在+90°保持4個(gè)小時(shí)，降溫到-50°C，依次做N個(gè)循環(huán)。

　　工業(yè)級(jí)溫度標(biāo)準(zhǔn)為-40°C ~ +85°C，因?yàn)闇叵渫ǔ?huì)存在溫差，為保證到客戶(hù)端不會(huì)因?yàn)闇囟绕顚?dǎo)致測(cè)試結(jié)果不一致，內(nèi)部測(cè)試建議使用標(biāo)準(zhǔn)溫度±5°C溫差來(lái)測(cè)試。

　　測(cè)試流程：

　　1、在樣品斷電的狀態(tài)下，先將溫度下降到-50°C，保持4個(gè)小時(shí);請(qǐng)勿在樣品通電的狀態(tài)下進(jìn)行低溫測(cè)試，非常重要，因?yàn)橥姞顟B(tài)下，芯片本身就會(huì)產(chǎn)生+20°C以上溫度，所以，在通電狀態(tài)下，通常比較容易通過(guò)低溫測(cè)試，必須先將其“凍透”，再次通電進(jìn)行測(cè)試。

　　2、開(kāi)機(jī)，對(duì)樣品進(jìn)行性能測(cè)試，對(duì)比性能與常溫相比是否正常。

　　3、進(jìn)行老化測(cè)試，觀察是否有數(shù)據(jù)對(duì)比錯(cuò)誤。

　　4、升溫到+90°C，保持4個(gè)小時(shí)，與低溫測(cè)試相反，升溫過(guò)程不斷電，保持芯片內(nèi)部的溫度一直處于高溫狀態(tài)，4個(gè)小時(shí)后，執(zhí)行2、3、4測(cè)試步驟。

　　5、高溫和低溫測(cè)試分別重復(fù)10次。

　　如果測(cè)試過(guò)程出現(xiàn)任何一次不能正常工作的狀態(tài)，則視為測(cè)試失敗。

　　參考標(biāo)準(zhǔn)：

　　GB/T2423.1-2008試驗(yàn)A：低溫試驗(yàn)方法

　　GB/T2423.2-2008試驗(yàn)B：高溫試驗(yàn)方法

　　GB/T2423.22-2002試驗(yàn)N：溫度變化試驗(yàn)方法